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标准现成 SRAM IP 已针对面积或速度进行了优化，但并未针对功耗进行优化。我们的技术非常节能，因此产生的热量较少，使其成为下一代人工智能芯片的理想解决方案。这包括从边缘设备到车载应用程序，甚至到数据中心的所有内容，所有这些都必须限度地减少热开销。随着产品越来越依赖边缘人工智能而不是基于云的解决方案，这一点将变得越来越重要。
maxim gorkyNVMe NANDrive BGA封装的固态硬盘样品，以满足其用户在高压力、严苛工作环境的嵌入式应用中要求高可靠、高性能的数据存储需求。NVMe NANDrive固态硬盘工作温度-40oC至+95oC，支持PCIe Gen3x4接口，采用行业标准的M.2 1620（16 x 20mm，291球）BGA封装。欲了解更多NVMe NANDrive 产品信息，请访问https://bit.ly/NVMe-BGA-SSD。
　　LED的MiniLED封装采用的引线框嵌入白色热塑材料。器件半强角为± 60°，视角达120°，适用于均匀照明和背光，典型正向电压2.9 V。VLMB2332T1U2-08和VLMTG2332ABCA-08按包装单位、发光强度和颜色分装。

　　DGH 类型的工作电压高达 8.1V（-40 至 +65°C），330mF 版本的尺寸为 25 x 8.5 x 16mm 高，5F 版本的尺寸为 39 x 13 x 33mm。如果电压降低至 6.9V，它们的工作温度也将高达 85°C。在额定温度和电压下，预计使用寿命为 1,500 小时。
　　新型贴片机不再采用传统的前后上下线性运动，而是采用两个旋转头(TwinRevolve)来快速、平稳地拾取、翻转和放置芯片。这种独特的机制减少了惯性和振动，从而可以在更高的速度下实现相同的精度。这一研发为芯片制造商将其大批量线焊产品转向倒装芯片技术开辟了新的机会。
maxim gorky　　HL990x系列的主要特点是内部集成快恢复超结功率MOSFET，能够有效地减少电磁干扰(EMI)和开关损耗，具有的工作效率。内部集成高速高压集成电路(HVIC)不再需要多个驱动电源。该HVIC无缝地将逻辑信号转换为高压、大电流驱动信号，完全匹配内部功率MOSFE，无需额外的开销和考虑，对于简化系统设计，提高性能具有重大的意义。
　　具有如此紧凑尺寸和全面的功能集，TS-3032-C7为设计师提供了前所未有的灵活性和兼容性，使其能够轻松集成到各种高体积应用中，不论是移动设备、环境监控系统还是智能穿戴设备，都能提供的温度监控与高性能时间管理解决方案。
采用 Intel Xeon 6 处理器（配备 P-cores）的系统将把人工智能工作负载的性能提高 2-3 倍*，内存带宽提高 2.8 倍*。未来使用 Intel Xeon 6 处理器（配备 E-cores）的系统预计将提供比前几代产品高 2.5 倍*的机架密度，每瓦特性能提高 2.4 倍*，从而将数据中心的 PUE 降低至低至 1.05。

近期推出了用于科学和工业应用的pco.dimax3.6 ST流媒体高速相机。这款新相机采用实时图像流，能以360万像素的分辨率和2166帧/秒的记录速度捕捉清晰的图像，非常适用于高速分拣、分析和检测应用，包括生产控制与分析、质量保证、研究、工艺和材料开发、激光焊接、惰性气体焊接以及汽车安全气囊和部件测试。
maxim gorky　　CSA52x系列芯片以其广泛的供电电压范围（2.7V至5.5V）和共模电压输入范围（-0.3V至36V），结合六种固定增益选项（20V/V、25V/V、50V/V、75V/V、100V/V和200V/V），为系统设计提供了极大的灵活性和度。
　　继 400G ZR/ZR+ 数字相干光学（DCO）的成功应用后，客户正在寻求 800G 版本的 DCO 以提升传输速率至新的高度。超大规模数据中心正推动 400G/800G DCO 在数据中心互联（DCI）应用中的需求，同时电信运营商也开始采用 IP-over-DWDM 的概念，利用 DCO 模块服务于城域网和区域网络。QSFP-DD 和 OSFP 是受青睐且适用于 DCI 应用的紧凑型封装格式。
　　新推出的R&S SMB100B模拟微波信号发生器性能卓越，在中端级别高达40 GHz的模拟信号发生领域处于市场领先地位。R&S SMB100B操作简便、功能全面，是所有需要干净模拟信号或高输出功率（8 kHz 至 40 GHz）应用的。典型应用包括测试雷达接收机、半导体元件、上变频器、下变频器或放大器。高输出功率和低相位噪声使其成为阻塞测试中模拟干扰源的理想选择。