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　　它实现了纹波电流（3.3~4.6 Arms）——据称比同类外壳尺寸高出约 50%。
　　松下推出 ZV 系列电解聚合物混合电容器虽然同类电容器在 35V 时的 ESR 通常约为 16 mΩ，但 ZV 系列在此电压下的 ESR 为 12 mΩ，从而提高了电子系统的效率和可靠性。
阿尔特拉代理商即日起开售英飞凌公司的CoolSiC G2 MOSFET。CoolSiC G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。
可用于多个终端市场的各种应用。此次发布的产品包括用于PoE、eFuse和继电器替代产品的100 V 应用专用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封装，体积缩小60%，以及改进了电磁兼容性(EMC)的40 V NextPowerS3 MOSFET

　　T vj = 25°C时漏源击穿电压为 400 V ，使其适合用于 2 级和 3 级转换器以及同步整流。
　　这些组件经过 100% 雪崩测试。CoolSiC 技术与 .XT 互连技术相结合，使设备能够应对 AI 处理器功率需求突然变化引起的功率峰值和瞬变。
　　连接技术和较低且正的 R DS(on)温度系数均可在结温较高的工作条件下保持性能。
配合此率先上市的策略，Supermicro近期推出基于NVIDIA Blackwell架构的完善产品系列，支持新型NVIDIA HGXTM B100、B200和GB200 Grace Blackwell Superchip。
阿尔特拉代理商　　NXP Semiconductors FRDM-MCXN947与FRDM-MCXA153快速检索和数据操纵器 (FRDM) 开发板是低成本、可扩展的紧凑型开发平台，可使用MCUXpresso开发工具快速进行原型开发。FRDM-MCXN947搭载MCX N系列，适用于各种具有高集成度、片上加速器、智能外设和安全性的应用。FRDM-MCXA153搭载具有可扩展器件选项、低功耗和智能外设的MCX A系列。
无论是在汽车、医疗还是工业自动化领域，图形质量高的响应式用户界面都必不可少。但用于这些应用的MCU一般缺少集成化的设计和开发工具，尤其是适用于现代用户界面的工具。因此，我们十分高兴能够帮助英飞凌填补这一缺口，使设备制造商能够在他们的MCU上提供出色且内存占用少的用户界面，终让设计人员能够创造出之前因资源限制而被认为不可能实现的图形用户界面。
　　具备高感光性能、低噪声、低功耗三大特点的SC038HGS图像传感器可大幅提升视觉信息的准确性和清晰度，实现在低照度环境下的高质量图像捕捉，从而提供更真实、更清晰的虚拟体验。

　　为此，村田开发了一种在达到了世界超高水平精度的6轴MEMS惯性传感器，噪声低而且输出稳定。陀螺仪传感器和加速度传感器的每个轴都能输出经过正交补正后的值。能简化用户的校准过程，有助于降低生产成本。
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　　HAL/HAR 3936 满足行业对稳健型 3D 位置传感器和符合 ISO 26262 标准的需求，为包括转向柱开关在内的各种应用场景提供可靠的解决方案。值得关注的功能包括能够省电的低功率模式，便于直接连接到车辆的电池，以提高效率。