ti芯片

　　纳微半导体发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计，基于CRPS185外形尺寸，其采用了额定650V、40mΩ的GeneSiC G3F FETs，用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC级的GaNSafe?氮化镓功率芯片一起，让这款电源实现了138 W/inch的功率密度和超过97%的峰值效率，轻松达到欧盟目前强制执行的“钛金+”效率标准。
ti芯片　　微软现场演示了一系列Copilot+ PC的AI能力，包括与OpenAI技术GPT-4o的结合。在GPT-4o的支持下，Copilot根据用户实时的屏幕画面，以对话的方式引导用户在沙盒游戏《我的世界》（Minecraft）中制造剑，包括根据用户的库存面板提醒他应该补充哪些材料，并在游戏中的“僵尸”袭来时引导用户躲避等。
此外，TOLT 器件还与英飞凌采用Q-DPAK封装的 CoolSiC? 750 V这一顶部散热CoolSiC? 工业产品组合形成了互补。当器件所需的电源不需要Q-DPAK封装时，开发者可使用TOLT器件减少SiC MOSFET占用的 PCB 面积。

　　GL7004采用高可靠性、紧凑型的CLCC封装，同时优化了芯片设计，芯片仅需3路外供电源，降低芯片的整体功耗，使得芯片在全速运行下的功耗仅为1W，方便用户的硬件开发与集成。
　　同时，Galaxy AI 继续加深了与百度智能云的战略合作，基于文心大模型平台新推出AI帮写、智能语音回复等多个服务。在AI视觉服务方面，三星和美图公司旗下的美图奇想大模型（MiracleVision）进一步合作，为用户提供AI壁纸、AI涂鸦生图等服务。
ti芯片　　意法半导体的LDH40和LDQ40工业级和车规稳压器，在3.3V的输入电压下即可启动，工作电压可达40V，具有低静态电流。LDH40的输出电流高达 200mA，并且仅有一个型号，输出电压在1.2V 至 22V之间可调。LDQ40的输出电流高达250mA，输出电压调节范围1.2V-12V，并有1.8V、2.5V、3.3V 和 5.0V 固定输出电压可选。
　　两款共模片状电感器系列均采用紧凑型封装，并采用铁氧体磁芯设计，可在广泛的频率范围内提供高阻抗，以抑制不需要的传入或传出 EMI 噪声。这些共模片状电感器可满足严格的冲击和振动要求，因为核心采用 0.3/0.4 毫米高的侧壁端子构建，有助于增强 PCB 上组件的机械强度。Bourns SRF4532TA 和 SRF3225TABG 系列还具有低辐射屏蔽结构，工作温度范围分别为 -55 至 +125 °C 和 -40 至 +125 °C。
　　随着数字化转型的加速，企业亟需更新其老化的数据中心系统以节省成本、实现可持续发展目标，并限度地利用物理机架空间，从而在企业内部创造全新的数字化能力。

　传统的光耦继电器方案存在光衰问题，其性能会随着时间的推移而退化，但光耦继电器的优势是无电磁干扰问题，这也是限制高压系统中光耦替代的重要因素之一。纳芯微NSI7258通过巧妙的设计，实现了业内卓越的EMI表现，在单板无磁珠的条件下即可轻松通过CISPR25 Class 5测试，并且在全频段测试中均留有充足裕量。NSI7258基于全半导体工艺进行生产，在长期使用中具有更高的可靠性。
ti芯片　　采用源极倒装PowerPAK1212-F封装的SiSD5300DN特别适合二次整流、有源箝位电池管理系统（BMS）、降压和BLDC转换器、OR-ing FET、电机驱动器和负载开关等应用。典型终端产品包括焊接设备和电动工具、服务器、边缘设备、超级计算机、平板电脑、割草机和扫地机以及无线电基站。
Hypervisor-on-Modules特别适用于必须满足实时和安全要求的整合系统，包括通过英特尔时间协调计算(Intel TCC)和时间敏感网络(TSN) 进行的实时集成。康佳特的新模块完全支持此功能。
　　凭借数十年的经验和创新技术，以及 200 多款针对电源设计或应用提供优化封装类型的器件组合，德州仪器的电源模块可帮助设计人员进一步推动电源发展。